博微-功率半導(dǎo)體樣品測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)

內(nèi)容簡(jiǎn)介半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可針對(duì),半導(dǎo)體靜態(tài)/動(dòng)態(tài)測(cè)試,晶圓測(cè)試,封裝測(cè)試

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可針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù)）測(cè)試精度可達(dá)16位ADC。包括半導(dǎo)體器件靜態(tài)/動(dòng)態(tài)測(cè)試，可靠性測(cè)試，雪崩浪涌測(cè)試，車(chē)規(guī)級(jí)功率器件與模塊測(cè)試，高校半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室，半導(dǎo)體教育教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)，測(cè)試儀器儀表等。

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